Организация ЭВМ и систем. Однопроцессорные ЭВМ. Часть 2


ЗЭ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТАХ


Абсолютное большинство ЗУ внутренней памяти современных ЭВМ (а в универсальных ЭВМ общего назначения – 100%) построено на полупроводниковых ЗЭ. По сравнению с другими типами ЗЭ полупроводниковые ЗЭ имеют ряд существенных преимуществ. Основными преимуществами являются большее быстродействие, компактность, меньшая стоимость, совместимость по сигналам с логическими схемами, технологичность.

По типу ЗЭ различают биполярные ЗУ с ЗЭ, построенными на биполярных транзисторах  ( по ТТЛ - или  ЭСЛ – схемам ), и МОП-ЗУ с ЗЭ,  построенными на МОП-структурах.

Оба типа ЗУ широко используются, но имеют свои преимущества и недостатки. Биполярные ЗУ более быстродействующие и хорошо стыкуются с ТТЛ – и ЭСЛ

–логикой. Но в настоящее время они еще довольно дороги и используются главным образом в качестве быстродействующих памятей, таких как управляющая память, СОП, кэш. Кроме того, такие ЗУ потребляют много энергии и имеют невысокую плотность упаковки элементов в кристалле. Запоминание информации в биполярных ЗУ происходит в триггерных ячейках, построенных на многоэмиттерных транзисторах. Это статические ЗУ, поскольку при включенном питании информация хранится в них любое время без регенерации.

МОП-ЗУ бывают как статическими, так и динамическими. В первом случае они построены на ЗЭ в виде триггеров. Во втором случае хранение информации основано на заряде "запоминающих емкостей", в качестве которых используются емкости некоторых цепей схемы. Это либо паразитная емкость затвора МОП-транзистора, либо специально сформированная емкость сток МОП-транзистора – подложка. Поскольку указанные емкости имеют ток утечки, то информацию в таких ЗУ необходимо регенерировать примерно через каждые 2 мс ( операция называется рефреш ). МОП-ЗУ сравнительно дешевы, потребляют мало энергии, имеют очень высокую плотность элементов на кристалле и, следовательно, большие емкости ЗУ в одном корпусе микросхемы. В настоящее время МОП-ЗУ широко используются для построения основной (оперативной) памяти ЭВМ различных классов.


Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин