Организация ЭВМ и систем. Однопроцессорные ЭВМ. Часть 2


ЗЭ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТАХ - часть 4



Как уже отмечалось, в ЗУ типа 2D-M адрес ячейки i делится на две части i¢ и i², которые соответственно поступают на БАВ и РАдрК. Запоминающей емкостью служит паразитная емкость С затвора транзистора Т2. Линия разрядно-адресного коммутатора i² используется для ввода в ЗЭ бита информации при записи и съема его при считывании. Поскольку ЗЭ использует источник питания только при считывании, то им может служить паразитная емкость Сi²

линии i².

Предварительно перед считыванием от РАдрК подается сигнал R, с помощью которого подготавливается считывание с мультиплексированием для ЗЭ, выбираемых линией i¢. Сигнал R открывает транзистор Т4, и емкость Сi² подзаряжается от источника +E. Затем на линию i¢ подается от БАВ сигнал считывания – промежуточный уровень сигнала CWR (Control write/read), который открывает транзистор Т3, но не может открыть Т1. Пусть емкость С заряжена (т.е хранит 1) и транзистор T2 открыт. В этом случае через открытые транзисторы Т3 и Т2 конденсатор Сi² разряжается и низкий уровень (уровень 0) сигнала D на линии i² указывает, что ЗЭ хранил инверсное значение, т.е. 1. Если ЗЭ хранит 0, то емкость С разрежена, Т2 закрыт и сигнал CWR не может вызвать разряд емкости Сi². Высокий уровень сигнала D (уровень 1) указывает, что ЗЭ хранил 0. Далее сигнал D через разрядно-адресный коммутатор поступает на выход ЗУ.

При записи на линию i² поступает сигнал D, соответствующий записываемому двоичному символу. Затем на линию i¢ подается высокий уровень сигнала CWR, открывающий транзистор Т1, который подключает к линии i² конденсатор С. В результате независимо от своего предыдущего состояния емкость оказывается заряженной, если записывается 1, и разряженной, если записывается 0.

Следует отметить, что ЗЭ динамических ЗУ имеют разную сложность и количество используемых транзисторов. В настоящее время наиболее часто используются ЗЭ, построенные на одном транзисторе.

Независимо от типа ЗЭ динамические ЗУ требуют периодической регенерации.Первоначально операциями регенерации памяти занимался процессор. Однако по мере развития элементной базы ЭВМ функции регенерации памяти стали выполняться на более низком уровне. Для регенерации стали использовать один из каналов контроллера прямого доступа к памяти (см. п. 11), а затем только контроллер памяти. В настоящее время схемы регенерации во многих случаях располагаются непосредственно в самом кристалле памяти, и от разработчика не требуется специальных мер по организации этого процесса. Такие ЗУ часто называют квазистатическими. Между тем процесс регенерации информации в отдельных БИС памяти все равно требует некоторой синхронизации. Эта задача в ЭВМ различной архитектуры решается по-разному, в частности в IBM PC контроль над процессом регенерации памяти включен в функции чипсета (см. п. 10).




Начало  Назад  Вперед