Организация ЭВМ и систем. Однопроцессорные ЭВМ. Часть 2


ПОСТОЯННЫЕ ЗУ (ПЗУ, ППЗУ) - часть 4


рис. 4.13,а и б соответственно).


На рис. 4.13,в представлен ЗЭ в виде лавинно-инжекционного МОП-транзистора с плавающим и селектирующим затворами. Интегральные ПЗУ на таких элементах допускают многократную замену хранимой информации.

Плавающий (изолированный) затвор не имеет электрического подвода, он предназначен для хранения заряда. Селектирующий затвор подсоединен к одному из выходов дешифратора строк – к горизонтальной линии, а сток – к вертикальной линии. В исходном состоянии отсутствует заряд на плавающем затворе (состояние 1), транзистор имеет очень небольшое пороговое напряжение. Выбор элемента осуществляется путем подачи на селектирующий затвор выходного напряжения адресного дешифратора, при этом включается транзистор и через цепь сток-исток протекает значительный ток. Программирование (занесение 0 в элементы) производится подачей на сток импульса напряжения 25-30B. При этом происходит инжекция электронов, имеющих высокую энергию, через оксид на изолированный затвор, получающий отрицательный заряд (состояние 0). В результате увеличивается пороговое напряжение, и подача на селектирующий затвор выходного напряжения дешифратора не включает этот транзистор. Сообщенное элементу состояние сохраняется сколь угодно долго.




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин