Организация ЭВМ и систем. Однопроцессорные ЭВМ. Часть 2


ФЛЭШ-ПАМЯТЬ - часть 2


Объем таких блоков сильно разнится: от 256 байт до 128 Кбайт.

Число циклов перепрограммирования для флэш-памяти хотя и велико, но ограничено, т.е. ячейки при перезаписи "изнашиваются". Для того, чтобы увеличить долговечность памяти, в ее работе используются специальные алгоритмы, способствующие "разравниванию" числа перезаписей по всем блокам микросхемы.

Соответственно областям применения флэш-память имеет архитектурные и схемотехнические разновидности. Двумя основными направлениями эффективного использования флэш-памяти являются хранение не очень часто изменяемых данных (обновляемых программ, в частности) и замена памяти на магнитных дисках.

Для первого направления, в связи с редким обновлением содержимого, параметры циклов стирания и записи не столь существенны, как информационная емкость и скорость считывания информации. Стирание в этих схемах может быть как одновременным для всей памяти, так и блочным. Среди устройств с блочным стиранием выделяют схемы со специализированными блоками – несимметричные блочные структуры – по имени так называемых boot-блоков, в которых информация надежно защищена аппаратными средствами от случайного стирания. Эти ЗУ называют boot block flash memory. Boot-блоки хранят программы инициализации системы, позволяющие ввести ее в рабочее состояние после включения питания.

Микросхемы для замены жестких магнитных дисков (flash-file memory) содержат более развитые средства перезаписи информации и имеют идентичные блоки (симметричные блочные структуры). Накопители подобного типа широко используются фирмой Intel. Имеются мнения о конкурентоспособности этих накопителей в применениях, связанных с заменой жестких магнитных дисков для ЭВМ различных типов.

В заключение следует отметить, что в настоящем разделе рассмотрены только основные типы ЗУ и ЗЭ, которые далеко не исчерпывают все разнообразие современной элементной базы устройств памяти ЭВМ.




Начало  Назад  Вперед