Организация вычислительных систем



              

EDO DRAM


По сравнению с FPM DRAM, в микросхемах памяти данной технологии для каждого банка добавлен регистр-защелка, в котором сохраняются выходные данные. Считывание из него производится внешними схемами вплоть до спада следующего импульса CAS#. Время доступа внутри страницы снижается до 25 нс, повышая производительность на 40%, что соответствует режиму чтения 5-2-2-2.

Установка регистра-защелки практически не увеличивает стоимость микросхемы, однако ее применение дает эффект, соизмеримый с установкой внешнего асинхронного кэша.




Содержание  Назад  Вперед