EDO DRAM
По сравнению с FPM DRAM, в микросхемах памяти данной технологии для каждого банка добавлен регистр-защелка, в котором сохраняются выходные данные. Считывание из него производится внешними схемами вплоть до спада следующего импульса CAS#. Время доступа внутри страницы снижается до 25 нс, повышая производительность на 40%, что соответствует режиму чтения 5-2-2-2.
Установка регистра-защелки практически не увеличивает стоимость микросхемы, однако ее применение дает эффект, соизмеримый с установкой внешнего асинхронного кэша.
Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий